在学习电子元器件知识时，有一些相关知识是你要了解的。这里罗列一些非常有用的配套知识。其中有的知识是工作中才会碰到的知识。 1、科学计数法与国际单位词头电子技术中，由于一些物理量太大，所以会常用科学计数法来表达物理量的大小，特别是计算中，常常要用到科学计数法。 科学计数法是让所表示数字的小数点前面只有一个数字，再乘上 10 的 n 次幂，使计数更为方便，也就是说，一个大于 10 的数或小于 1 的数..

概述LT1632 / LT1633CS 是双通道 / 四通道、轨至轨输入和输出运放，具有一个 45MHz 的增益-带宽乘积和一个 45V/μs 的转换速率。 LT1632 / LT1633CS 在整个工作范围内拥有卓越的 DC 精度。输入失调电压通常小于 400μV，而在采用一个 10k 负载所提供数值为 800,000 的最小开环增益则实际上消除了所有的增益误差。当采用单 5V 电源时，共模抑制..

一、焊盘的重叠 1、焊盘（除表面贴焊盘外）的重叠，意味孔的重叠，在钻孔工序会因为在一处多次钻孔导致断钻头，导致孔的损伤。 2、多层板中两个孔重叠，如一个孔位为隔离盘，另一孔位为连接盘（花焊盘），这样绘出底片后表现为隔离盘，造成的报废。 二、图形层的滥用 1、在一些图形层上做了一些无用的连线，本来是四层板却设计了五层以上的线路，使造成误解。 2、设计时图省事，以Protel软件为例对各层都有的线用B..

本直流电阻测试仪为测试提供的电源的两种：AC220V／DC12V。在强电磁场干扰的情况下，建议最好使用直流电源测试，此状态下测试的数值稳定，抗工频干扰能力强。A、直流电源测试：闭合电源开关，电源指示灯亮，按下“启停”键，即可选择相应电阻档位开关进行测试。测试完毕后，按下“启停”键，“放电”指示灯亮（若被试品储存电量较小，则“放电”指示灯不亮），放电后，“放电”指示灯熄灭，再转换测试夹，进行再次测试..

案例： 某LED生产工厂客户反馈采购同一个型号L78M05CDT-TR前后从不同供应商购买的产品有外观明显差异，其中散热片一个有凹槽一个无凹槽（见图1）这是因为封装工厂工艺不同，实际都为ST原厂出品,并不影响使用,原厂有出具PCN文件声明，另外芯片本体打字有区分不同的封装工厂。不同的代码对应代表不同的封装工厂（见图2）需要PCN文件附件请联系在线客服索取。 图1 图2 TO-252封装外观不同大致..

保险丝熔断的原因？甄芯网的技术专员为您解答：其实，关于熔断保险丝熔断，它的实质是，电流流过的时候，保险丝发热，使保险丝内的熔丝发热，这时候，如果热量不能够及时的散热叼的话，熔丝就会持续升温，然后达到熔点之后就会融化，从而导致保险丝断开，所以保险丝就熔断了。 因此在这里，深圳市集电通专员告诉大家熔断保险丝熔断的集中可能性。 1.短路，在电路的线路中，保险丝出现短路故障，熔丝很快就熔断了。 2.过载，..

DS18B20校准为终身保证，无需重新校准。

连接DS18B20的最远距离没有具体规定。传输范围与系统环境及设计有很大关系。器件的工作条件受限于逻辑电平和定时门限，而非距离。只要系统能够满足定时和电压条件，器件就能正常工作。

在本篇文章中，我将从不同方面深入介绍降压、升压和降压-升压拓扑结构。 降压转换器 图1是非同步降压转换器的原理图。降压转换器将其输入电压降低为较低的输出电压。当开关Q1导通时，能量转移到输出端。 公式1计算占空比： 公式2计算最大金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）应力：

常用电阻5%精度2512封装丝印打字对照表如下：

常用电阻5%精度2010封装丝印打字对照表如下：

常用电阻5%精度1812封装丝印打字对照表如下：

常用电阻5%精度1210封装丝印打字对照表如下：

常用电阻5%精度1206封装丝印打字对照表如下：

常用电阻5%精度0805封装丝印打字对照表如下：

常用电阻5%精度0603封装丝印打字对照表如下：

74HC595时序图如下 #include //52芯片管脚定义头文件 #include //内部包含延时函数 _nop_(); #define uchar unsigned char #define uint unsigned int uchar code DAT[8]={0xfe,0xfd,0xfb,0xf7,0xef,0xdf,0xbf,0x7f}; sbit SDATA_595=P1^0;..

RAM Random-Access-Memory,随机存储存储器，可读可写，分为SRAM和DRAM，即静态随机存储器和动态随机存储器，理解上静动态主要体现是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否则数据将丢失;SRAM的效率较好，而成本较高，通常将SRAM作为cache使用。 PSRAM Pseudo static random access memory，伪SRAM伪随机存储器，内部和DRAM相似，..

电阻5%精度常用封装0603 0805 1206 1210 1812 2010 2512丝印打字对照表